K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NAFR-RDC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G8NAFR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.30 | $2.95 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| データレート | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| パッケージ | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| インターフェース | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |