K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,29 | $7,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +85C |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |