K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $7,38 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | POD-12 | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +85C |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |