K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $6,55 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96FBGA |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de mémoire | — | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | — | 3200 Mbps |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Lead Free | — | Yes |