K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $6.55 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96FBGA |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| メモリタイプ | — | DDR4 SDRAM |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Lead Free | — | Yes |