K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WA-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WA-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG085WA-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCTD K4AAG085WA-BCTD - 16Gb DDR4 2666Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG085WA-BCTD - 16Gb DDR4 2666Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG085WA-BCTD ✓ Actif
Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCWE K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4AAG085WA-BCTD K4AAG085WA-BCWE
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $10,18 $7,24
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Débit de données 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Boîtier 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch)
Température de fonctionnement 0C to +85C 0 C to 85 C
Speed Grade DDR4-2666 (-BCTD) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout JEDEC DDR4
Statut RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Burst Length BL8 (DDR4 standard) —
Application Domain Computing, networking, industrial memory —
Manufacturing Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Lead Time / Stock [DATA_NEEDED: current stock status] —
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Memory Width — 8-bit
Refresh — Auto-refresh (per JEDEC DDR4)
Application Class — Main memory / embedded DRAM
Manufacturer — Samsung Electronics

Fiches techniques et ressources

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