K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WA-BCWE Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4AAG085WA-BCTD por Samsung Electronics e K4AAG085WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCTD K4AAG085WA-BCTD - 16Gb DDR4 2666Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG085WA-BCTD - 16Gb DDR4 2666Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG085WA-BCTD ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCWE K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4AAG085WA-BCTD K4AAG085WA-BCWE
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $10,18 $7,24
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Taxa de dados 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Encapsulamento 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch)
Temperatura de operação 0C to +85C 0 C to 85 C
Speed Grade DDR4-2666 (-BCTD) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout JEDEC DDR4
Status RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Burst Length BL8 (DDR4 standard) —
Application Domain Computing, networking, industrial memory —
Manufacturing Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Lead Time / Stock [DATA_NEEDED: current stock status] —
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Memory Width — 8-bit
Refresh — Auto-refresh (per JEDEC DDR4)
Application Class — Main memory / embedded DRAM
Manufacturer — Samsung Electronics

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação