K4AAG085WA-BCTD vs K4AAG085WA-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WA-BCTD por Samsung Electronics y K4AAG085WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WA-BCTD | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $10,18 | $7,24 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Speed Grade | DDR4-2666 (-BCTD) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 parallel, JEDEC DDR4 ballout | JEDEC DDR4 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Burst Length | BL8 (DDR4 standard) | — |
| Application Domain | Computing, networking, industrial memory | — |
| Manufacturing Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Lead Time / Stock | [DATA_NEEDED: current stock status] | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Application Class | — | Main memory / embedded DRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |