K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $54,65 | $7,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 (1G x 16) | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Interface | Parallel (DDR4) | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |