K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG165WM-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $54.65 | $7.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 (1G x 16) | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |