K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63CFR-PBL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics et H5TC4G63CFR-PBL par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK00 | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Latence CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |