K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63CFR-PBL 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63CFR-PBL メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BCK00 | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $6.50 |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| データレート | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| 電源電圧 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| CASレイテンシ | 11 (at 1600 Mbps) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| メモリサイズ | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |