K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BMK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BMH9 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BMK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40°C to 95°C |
| Latence CAS | Programmable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Die Version | — | D-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |