K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BMK0 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $5.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| 데이터 속도 | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40°C to 95°C |
| CAS 레이턴시 | Programmable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Die Version | — | D-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |