K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics et H5AN8G4NCJR-xxC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G4NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $8,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | x4 (H5AN8G4NCJR) |
| Débit de données | 1600 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.2V |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Prefetch | — | 8-bit |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |