K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $3,98 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Interface | Parallel | 16-bit I/O |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |