K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $3,98 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Interface | Parallel | 16-bit I/O |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |