K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63AFR-PBA 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BMK0 メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $3.98 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| インターフェース | Parallel | 16-bit I/O |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| データレート | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |