K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646I-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,75 | $0,56 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-FBGA (BYK) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Number of Banks | 8 | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |