K4RBH086VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH086VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,85 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] | — |
| Interface | Parallel, DDR5 | — |
| Boîtier | 82-FBGA | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0 C to 85 C | 0C to +85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Technology | DDR5 SDRAM | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| On-Die ECC | Yes (per JEDEC DDR5 specification) | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| Write CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |