K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RCH046VM-2CCM par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RCH046VM-2CCM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb (3 GB) |
| Organisation de la mémoire | 4G x 4 | 1G x 16 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Température de fonctionnement | 0 to 85 C | 0 to 85 C |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Type d'interface | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Interface | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |