K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE165VB-BCWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RCH046VM-2CCM от Samsung Electronics и K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4RCH046VM-2CCM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | NRND | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb (3 GB) |
| Организация памяти | 4G x 4 | 1G x 16 |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.1 V | 1.1 V |
| Рабочая температура | 0 to 85 C | 0 to 85 C |
| Корпус | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Тип интерфейса | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Интерфейс | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |