K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RHE165VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $7,65
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 24 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 16 2G x 8
Débit de données 5600 Mbps 5600 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V 1.1 V
Boîtier 106 FBGA 82 FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Status Mass Production —
Interface DDR5 (parallel, DDR) DDR5 (JEDEC)
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis