K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RHE165VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $7,65
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 24 Gb
Organização da memória 1G x 16 2G x 8
Taxa de dados 5600 Mbps 5600 Mbps
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Encapsulamento 106 FBGA 82 FBGA
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de operação 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Status Mass Production —
Interface DDR5 (parallel, DDR) DDR5 (JEDEC)
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Fichas técnicas e recursos

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