K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RHE086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RHE165VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $7,65
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) 24 Gb
Организация памяти 1G x 16 2G x 8
Скорость передачи данных 5600 Mbps 5600 Mbps
Напряжение питания 1.1 V 1.1 V
Корпус 106 FBGA 82 FBGA
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Рабочая температура 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Status Mass Production —
Интерфейс DDR5 (parallel, DDR) DDR5 (JEDEC)
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену