K6F2016U4E-EF70T vs K6F3216U6M-EF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6F2016U4E-EF70T par Samsung Electro-Mechanics et K6F3216U6M-EF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K6F2016U4E-EF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $6,10 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 2 Mbit | 32 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 | 2M x 16 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time (tAA) | 70 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Boîtier | 48-TFBGA (6 x 7) | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Active Supply Current (ICC1) | [DATA_NEEDED: ICC1] | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Refresh Requirement | None (static RAM) | None (static memory) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | NO (per third-party listing) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |