K6F2016U4E-EF70T vs K6F3216U6M-EF70T 比較
詳細な並列比較: K6F2016U4E-EF70T メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K6F2016U4E-EF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.00 | $6.10 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 2 Mbit | 32 Mbit |
| メモリ構成 | 128K x 16 | 2M x 16 |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Access Time (tAA) | 70 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| パッケージ | 48-TFBGA (6 x 7) | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Active Supply Current (ICC1) | [DATA_NEEDED: ICC1] | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Refresh Requirement | None (static RAM) | None (static memory) |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | NO (per third-party listing) |
| 湿気感度レベル（MSL） | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| 電源電圧 | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |