K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6F3216U6M-EF70T par Samsung Electronics et K6F2016U4D-FF70T00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4D-FF70T00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,10 | $2,05 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | 128K x 16 |
| Tension d'alimentation | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| Boîtier | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | Industrial temperature range |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| Statut RoHS | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Write Cycle Time (tWP) | — | 50 ns |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |
| Power Feature | — | Super low power and low voltage |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |