K6X0808C1D-BF70T vs K6F3216U6M-EF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics et K6F3216U6M-EF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $6,10 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 32 Mbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Boîtier | 28-SOP | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| Largeur du bus de données | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | None (static memory) |
| Statut RoHS | Compliant | NO (per third-party listing) |
| Organisation de la mémoire | — | 2M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 3 V |
| Interface | — | Parallel |
| Technology | — | Full CMOS Static RAM |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |