K6X0808C1D-BF70T vs K6F3216U6M-EF70T 比較
詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF70T メーカー: Samsung Electronics および K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K6X0808C1D-BF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.05 | $6.10 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 256 Kbit | 32 Mbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| 動作温度 | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| パッケージ | 28-SOP | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| データバス幅 | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | None (static memory) |
| RoHS ステータス | Compliant | NO (per third-party listing) |
| メモリ構成 | — | 2M x 16 |
| 電源電圧 | — | 3 V |
| インターフェース | — | Parallel |
| Technology | — | Full CMOS Static RAM |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |