K6X0808C1D-BF70T vs K6F3216U6M-EF70T 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF70T 제조: Samsung Electronics 및 K6F3216U6M-EF70T 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.05 | $6.10 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 32 Mbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 패키지 | 28-SOP | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| 데이터 버스 폭 | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | None (static memory) |
| RoHS 상태 | Compliant | NO (per third-party listing) |
| 메모리 구성 | — | 2M x 16 |
| 공급 전압 | — | 3 V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Technology | — | Full CMOS Static RAM |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |