K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF55000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF55T par Samsung Electro-Mechanics et K6X0808C1D-GF55000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ ActifSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $3,20 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5.0 V | 5 V |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| Largeur du bus de données | 8 bit | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| Type de sortie | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |
| Technology | — | Low-power CMOS |