K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF55000 比較
詳細な並列比較: K6X0808C1D-GF55T メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X0808C1D-GF55000 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ 生産中Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.85 | $3.20 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 256 Kbit | 256 Kbit |
| メモリ構成 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 電源電圧 | 5.0 V | 5 V |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| データバス幅 | 8 bit | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| 出力タイプ | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |
| Technology | — | Low-power CMOS |