K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF55000 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-GF55T 제조: Samsung Electro-Mechanics 및 K6X0808C1D-GF55000 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ 활성Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $3.20 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5.0 V | 5 V |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| 데이터 버스 폭 | 8 bit | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| 출력 유형 | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |
| Technology | — | Low-power CMOS |