K9F6408U0B vs K9PDG08U5M Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9F6408U0B par Samsung Electronics et K9PDG08U5M par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9F6408U0B K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B - 64Mbit 8M x8 NAND Flash 44-TSOP2 | Samsung

K9F6408U0B Obsolete
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre K9F6408U0B K9PDG08U5M
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Obsolete Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,20 $4,20
Memory Organization 8M x 8 bit (64Mbit) —
Type de mémoire NAND Flash NAND Flash (SLC)
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Access Time / Cycle Time 50 ns —
Boîtier 44-TSOP2 TSOP1-48
Page Size 528 bytes (512 data + 16 spare) [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block organization from datasheet] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance 100K program/erase cycles —
Interface 8-bit multiplexed command/address/data I/O —
Write Protect Yes (WP pin) —
Ready/Busy Output Yes (R/B open-drain) Yes (R/B, open-drain)
Operating Temperature (TCB0 grade) 0C to 70C —
Operating Temperature (TIB0 grade) -40C to 85C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status (per datasheet) Mass Production (legacy; now obsolete) —
Density — 4 Gbit
Organisation de la mémoire — x8 (multiplexed I/O)
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Fiches techniques et ressources

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