M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FT55N3F2 par Micron Technology et M29F200FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F160FT55N3F2 M29F200FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Flash Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,90 $0,00
Type de mémoire NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash, Parallel
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organisation de la mémoire 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 1000 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
Interface Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 48-Pin TSOP 48-pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TR suffix)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms

Fiches techniques et ressources

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