M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F160FT55N3F2 por Micron Technology e M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F160FT55N3F2 M29F200FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Flash Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,90 $0,00
Tipo de memória NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash, Parallel
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organização da memória 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 1000 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
Interface Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 48-Pin TSOP 48-pin TSOP
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TR suffix)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms

Fichas técnicas e recursos

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