M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Vergleich
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Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F160FT55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Flash | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,90 | $0,00 |
| Speichertyp | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 16 Mbit (16777 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 1M x 16 / 2M x 8 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (operating 4.5 V) | 5 V |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Synchronous / Asynchronous | Asynchronous | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT) | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-Pin TSOP | 48-pin TSOP |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | Tape & Reel (TR suffix) |
| Program / Erase | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |