M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F160FT55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F160FT55N3F2 M29F200FT55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Flash Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,90 $0,00
Тип памяти NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash, Parallel
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Организация памяти 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 1000 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
Интерфейс Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-Pin TSOP 48-pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TR suffix)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену