M29W064FT70N3E vs M29W128GL70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W064FT70N3E par Micron Technology et M29W128GL70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W064FT70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $8,65 |
| Type de mémoire | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 64 Mbit | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Interface | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP | 56-pin TSOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |