M29W064FT70N3F vs M29W400FB55N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W064FT70N3F par Micron Technology et M29W400FB55N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W064FT70N3F | M29W400FB55N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,30 | $2,55 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit | — |
| Organisation de la mémoire | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 | 512K x8 / 256K x16 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase, read | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Interface | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Method | Command set / data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes, with temporary unprotection | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Width | x8/x16 | — |
| Statut RoHS | unknown | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Mbit |
| Program/Erase Supply | — | Single 2.7 V to 3.6 V |
| Byte/Word Select | — | BYTE# pin |
| Block Architecture | — | Boot block with hardware sector protection |
| Program Suspend/Erase Suspend | — | Supported |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |