M29W064FT70N3F vs M29W400FB55N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W064FT70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W400FB55N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W064FT70N3F | M29W400FB55N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.30 | $2.55 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 | 512K x8 / 256K x16 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase, read | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Method | Command set / data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes, with temporary unprotection | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Width | x8/x16 | — |
| RoHS 상태 | unknown | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Mbit |
| Program/Erase Supply | — | Single 2.7 V to 3.6 V |
| Byte/Word Select | — | BYTE# pin |
| Block Architecture | — | Boot block with hardware sector protection |
| Program Suspend/Erase Suspend | — | Supported |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |