M29W128GL70N3E vs M29W064FT70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W128GL70N3E par Micron Technology et M29W064FT70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W128GL70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Flash | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,65 | $0,00 |
| Type de mémoire | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 128 Mbit | 64 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x8 / 8M x16 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Interface | Parallel | Parallel, CFI compliant |
| Boot Block Configuration | Bottom boot (GL suffix) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Boîtier | 56-pin TSOP | 48-TSOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Automotive Qualification | Automotive grade ordering code (N3E) | — |
| Bus Width Mode | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |