M29W128GL70N3E vs M29W064FT70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W128GL70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W064FT70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W128GL70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.65 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 128 Mbit | 64 Mbit |
| 메모리 구성 | 16M x8 / 8M x16 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, CFI compliant |
| Boot Block Configuration | Bottom boot (GL suffix) | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +85C |
| 패키지 | 56-pin TSOP | 48-TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Automotive Qualification | Automotive grade ordering code (N3E) | — |
| Bus Width Mode | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |