M29W128GL70N3F vs M29W640GB70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W128GL70N3F par Micron Technology et M29W640GB70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W128GL70N3F | M29W640GB70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,48 | $2,66 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Memory Format | FLASH - NOR | — |
| Density | 128 Mbit | 64 Mb (8 MB) |
| Organisation de la mémoire | 8M x16 / 16M x8 | x8 / x16 |
| Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V |
| Boîtier | 56-TSOP | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Block Organization Variant | GL (boot-block) | — |
| Speed Grade Code | -70 | — |
| Package Finish Code | N3F (lead-free TSOP) | — |
| Programming Interface | Command-set parallel bus, embedded state machine | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Qualification | — | Automotive AEC-Q100 |
| Program/Erase Interface | — | Parallel command set with status polling |
| Block Architecture | — | Uniform block (GB variant) |
| Part Status | — | Obsolete |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read current] |