M29W128GL70N3F vs M29W640GB70N3F Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70N3F от Micron Technology и M29W640GB70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W128GL70N3F - 128Mbit Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70N3F ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W128GL70N3F | M29W640GB70N3F |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Obsolete |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,48 | $2,66 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Memory Format | FLASH - NOR | — |
| Density | 128 Mbit | 64 Mb (8 MB) |
| Организация памяти | 8M x16 / 16M x8 | x8 / x16 |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V |
| Корпус | 56-TSOP | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Block Organization Variant | GL (boot-block) | — |
| Speed Grade Code | -70 | — |
| Package Finish Code | N3F (lead-free TSOP) | — |
| Programming Interface | Command-set parallel bus, embedded state machine | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Qualification | — | Automotive AEC-Q100 |
| Program/Erase Interface | — | Parallel command set with status polling |
| Block Architecture | — | Uniform block (GB variant) |
| Part Status | — | Obsolete |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read current] |