M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W128GL70ZS3E par Micron Technology et M29W128GL70ZA3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,39 | $7,25 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Taille de mémoire | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| Boîtier | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |