M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W128GL70ZS3E 제조: Micron Technology 및 M29W128GL70ZA3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.39 | $7.25 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 메모리 크기 | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| 패키지 | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| 메모리 구성 | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |