M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70ZS3E от Micron Technology и M29W128GL70ZA3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,39 | $7,25 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Размер памяти | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Напряжение питания | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| Корпус | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Организация памяти | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |