M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E 比較

詳細な並列比較: M29W128GL70ZS3E メーカー: Micron Technology および M29W128GL70ZA3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ 生産中
Micron Technology
M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZA3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.39 $7.25
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
インターフェース Parallel Parallel
メモリサイズ 128 Mbit (16 MB) —
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 2.7 V to 3.6 V (3 V class) 3V / 3.3V
パッケージ 64-FBGA (11x13 mm) 64-TBGA (10x13 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +125C (per distributor code data) -40C to +125C
Family M29W128G (GL variant) —
Bus Width x16 —
Boot Block Architecture Bottom boot (GL) —
Program/Erase Supply Single supply (no separate VPP required) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Density — 128 Mbit
メモリ構成 — 16M x 8 / 8M x 16
Boot Block Location — Bottom boot (GL variant)
Bus Width Selection — BYTE pin (x8/x16)
Packaging — Tray
Product Longevity Program — No
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA Code]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼